周明斌

作品数：2被引量：5H指数：1
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供职机构：西安交通大学更多>>
发文主题：NA助熔剂法温度梯度保护气体坩埚下降法更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展被引量：1
《人工晶体学报》2013年第10期1983-1991,共9页周明斌 李振荣 李静思 吴熙 范世马■ 徐卓 
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较...
关键词：氮化镓 体单晶 Na助熔剂法 进展 
7MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究被引量：4
《人工晶体学报》2013年第2期203-207,225,共6页周明斌 李振荣 范世马岂 徐卓 
采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70%以上。光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体。晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符...
关键词：温度梯度 GaN晶体 Na助熔剂法 
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