谢宗奎

作品数：4被引量：24H指数：3
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供职机构：华北电力大学更多>>
发文主题：寄生电感开关损耗碳化硅杂散电感封装结构更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《华北电力大学学报（自然科学版）》更多>>
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碳化硅MOSFET器件高温栅偏特性的实验分析被引量：4
《半导体技术》2018年第10期752-759,共8页徐鹏 邹琦 谢宗奎 柯俊吉 赵志斌 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400503)
为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台。从施加高温栅偏应力、去除应力后室温下短期恢复...
关键词：碳化硅(SiC)MOSFET 高温栅偏 静态特性 灵敏度 恢复时间 
碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究被引量：3
《华北电力大学学报（自然科学版）》2018年第4期17-24,共8页徐鹏 柯俊吉 赵志斌 谢宗奎 魏昌俊 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400503)
为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已...
关键词：碳化硅MOSFET 温度特性 理论分析 实验测量 
碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化被引量：3
《华北电力大学学报（自然科学版）》2018年第2期1-9,共9页柯俊吉 谢宗奎 林伟聪 赵志斌 崔翔 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400503)
为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并在LTSPICE仿真软件中建立了双脉冲测试回路等效电路模型。仿真结果表明:开通电流过冲和关断电压过冲分别...
关键词：碳化硅MOSFET 开通电流过冲 关断电压过冲 杂散参数优化 
寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响被引量：15
《半导体技术》2017年第3期194-199,234,共7页柯俊吉 赵志斌 魏昌俊 徐鹏 谢宗奎 杨霏 
国家科技部项目(2016YFB0400503)
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电...
关键词：碳化硅MOSFET 寄生电感 关断过电压 开通过电流 开关损耗 
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