尹春海

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GANRAMAN光谱分析RAMAN光谱氮化镓离子注入更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析被引量：3
《光谱学与光谱分析》2013年第3期699-703,共5页陶东言 刘超 尹春海 曾一平 
国家自然科学基金项目(60876004)资助
对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670cm-1等波数的Raman峰,其中293cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362cm-1和670cm-1处的Raman峰可能...
关键词：氮化镓 离子注入 稀磁半导体 RAMAN光谱 
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