云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨濛

杨濛: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>; 发文主题：表面等离激元红外探测器GAN氮化镓功率更多>>; 发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《微纳电子技术》更多>>; 所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

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GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1: 《微纳电子技术》2012年第3期181-186,共6页滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010,BK2010385,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金项目; 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进...; 关键词：氮化镓(GaN) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤功率 DC偏压