滕龙

作品数:3被引量:3H指数:1
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供职机构:南京大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题:INGANX射线衍射研究X射线衍射氮化铟快速退火更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《中国激光》《微纳电子技术》《中国科技论文》更多>>
所获基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响
《中国科技论文》2013年第7期703-706,共4页李烨操 胡海楠 刘斌 张荣 滕龙 庄喆 谢自力 陈敦军 郑有炓 陈强 俞慧强 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB301900);国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090091120020);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010;BK2010385;BK2010178);霍英东教育基金资助项目(122028)
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.3...
关键词:微电子学与固体电子学 INGAN 拉曼散射 声子模 温度 
利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性被引量:2
《中国激光》2013年第1期170-173,共4页王健 谢自力 张韵 滕龙 李烨操 曹先雷 丁煜 刘斌 修向前 陈鹏 韩平 施毅 张荣 郑有炓 
国家973计划(2011CB301900;2012CB619304);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178)资助课题
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件...
关键词:薄膜 快速退火 X射线衍射 氮化铟 掺杂 位错 
GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量:1
《微纳电子技术》2012年第3期181-186,共6页滕龙 于治国 杨濛 张荣 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 郑有炓 施毅 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010,BK2010385,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金项目
通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进...
关键词:氮化镓(GaN) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 损伤 功率 DC偏压 
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