段磊

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：测试夹具晶体管微带线自激低频电源更多>>
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发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金更多>>
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国内5G用GaN功率器件的机遇与发展被引量：1
《电信技术》2019年第1期88-92,共5页郭跃伟 段磊 要志宏 
介绍国内GaN功率器件在5G通信上的应用情况,分析GaN功率器件的优势、特性、关键技术以及已有技术水平,提出5G时代GaN功率器件的机遇与发展建议。
关键词：5G GAN 功率放大器 
GaN基HEMT器件的优化设计被引量：2
《半导体技术》2014年第11期817-821,共5页冯嘉鹏 赵红东 孙渤 段磊 郭正泽 陈洁萌 姚奕洋 
河北省自然科学基金资助项目(F2013202256)
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件参数 性能 场板 自热效应 
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