刘瑞庆

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Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
《电子与封装》2017年第6期41-44,共4页石青宏 刘瑞庆 黄伟 
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度...
关键词：Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 卢瑟福背散射 快速热退火(RTA) 
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