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具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第1期50-56,共7页彭华溢 汪再兴 高金辉 保玉璠 
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058)。
场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场...
关键词：SiC LDMOS 场限环 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
4H-SiC SP-MPS二极管迅回效应的仿真研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第10期1221-1226,共6页姜佳池 汪再兴 保玉璠 彭华溢 李尧 
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058);国家自然科学基金青年基金项目(61905102)。
为了抑制4H-SiC MPS二极管的迅回效应,在传统结构的肖特基结下方引入P-轻掺杂区形成SP-MPS结构。给出简化电阻模型和等效电路图分析MPS二极管的正向导通特性,仿真了肖特基区宽度、P+区结深及P-区深度等关键参数对迅回效应的影响。研究...
关键词：4H-SIC MPS二极管 迅回效应 转折电压 肖特基势垒高度 
4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析
《沈阳工业大学学报》2023年第6期697-703,共7页保玉璠 汪再兴 彭华溢 李尧 
国家自然科学基金青年基金项目(61905102);甘肃省科技厅计划项目(21JR7RA320,21YF5GA058)。
为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处...
关键词：混合肖特基/PIN(MPS)二极管 迅回效应 抗浪涌电流能力 载流子分布 双极模式 电导调制效应 大注入效应 掺杂浓度 
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