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离子磁控溅射方式对不同表面性质材料扫描电子显微镜(SEM)图像的影响
《材料保护》2024年第12期107-113,共7页李海霞 叶韫 江煜堎 陶丽丽 杨亿斌 殷陶 孙志鹏 
广东省自然科学基金-面上项目(2024A1515011219);国家自然科学基金-面上项目(52273104)。
旨在探讨离子磁控溅射仪的条件参数对不同表面性质非导电材料扫描电子显微镜(SEM)图像的影响,研究溅射靶材、溅射时间和溅射次数等不同离子磁控溅射条件的优缺点和使用范围。结果表明:黄金靶材连续性好,金晶粒成核性大,溅射动能较大,易...
关键词：扫描电子显微镜 离子磁控溅射 非导电材料 表面性质 图像 
二体法计算ZnO量子点中激子的基态能
《陕西科技大学学报（自然科学版）》2009年第4期129-132,共4页于干 曾利彬 杨亿斌 
采用二体模型,通过坐标变换把二体问题化为两个单体问题,再分别采用无限深球方势阱和氢原子模型求解,通过一定的近似,得到了ZnO量子点的基态能的近似解析解.
关键词：激子 二体法 基态能 无限深球方势阱 氢原子模型 
Ca原子修饰的g-C3N4增强储氢能力的机理研究
《广东工业大学学报》2020年第1期23-26,共4页杨亿斌 徐慎 宋琦琦 李泽裔 黄俊鸿 王雅婷 黄乐 
国家自然科学基金资助项目(11804058)
利用第一性原理计算,发现Ca原子修饰的g-C3N4(Ca-C3N4)具有高的储氢能力。H与Ca-C3N4之间增强的吸附能主要归功于H-1s和Ca-1s轨道之间较强的化学吸附以及H-1s和Ca-3d轨道之间的杂化。在外加电场下, Ca与g-C3N4之间的极化具有良好的可调...
关键词：g-C3N4 第一性原理 储氢 
Performance improvement of Ga N-based light-emitting diodes transferred from Si(111) substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes
《Chinese Physics B》2015年第3期428-433,共6页柳铭岗 王云茜 杨亿斌 林秀其 向鹏 陈伟杰 韩小标 臧文杰 廖强 林佳利 罗慧 吴志盛 刘扬 张佰君 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274039 and 51177175);the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2010CB923201 and 2011CB301903);the Ph.D. Program Foundation of Ministry of Education of China(Grant No.20110171110021);the Foundation of the Key Technologies R&D Program of Guangdong Province,China(Grant No.2010A081002005)
Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells（MQWs） light-emitting diodes（LEDs） are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up...
关键词：light-emitting diodes embedded wide p-electrodes Si substrate electroplating Cu submount 
Influences of stress on the properties of GaN/InGaN multiple quantum well LEDs grown on Si(111) substrates
《Chinese Physics B》2015年第6期656-661,共6页柳铭岗 杨亿斌 向鹏 陈伟杰 韩小标 林秀其 林佳利 罗慧 廖强 臧文杰 吴志盛 刘扬 张佰君 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274039 and 51177175);the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2010CB923201 and 2011CB301903);the Ph.D.Program Foundation of the Ministry of Education of China(Grant No.20110171110021);the International Science and Technology Collaboration Program of China(Grant No.2012DFG52260);the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2014AA032606);the International Science and Technology Collaboration Program of Guangdong Province,China(Grant No.2013B051000041);the Opened Fund of the State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics(Grant No.IOSKL2014KF17)
The influences of stress on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells （MQWs） grown on silicon substrate were investigated. The different stresses were induced by growing InGaN and A1GaN insertion layers （I...
关键词：GaN/InGaN LEDS stress indium composition 
高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
《半导体光电》2015年第3期382-385,共4页林秀其 柳铭岗 杨亿斌 任远 陈扬翔 向鹏 陈伟杰 韩小标 藏文杰 林佳利 罗慧 廖强 张佰君 
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空...
关键词：高反射率电极 表面粗化 光萃取效率 
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