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检索条件："关键词=Ⅱ型双异质结双极晶体管 "
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
《半导体技术》2009年第8期721-725,共5页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与...
关键词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥 
InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析被引量：1
《物理学报》2012年第12期572-577,共6页周守利 杨万春 任宏亮 李伽 
信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号:FMI2009-08);湖南省教育厅项目(批准号:09C959);湖南省科技厅项目(批准号:2010TY2003);浙江省自然科学基金(批准号:LY12F04003)资助的课题~~
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C...
关键词：InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs Ⅱ型双异质结双极晶体管 
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