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检索条件："关键词=低反向漏电 "
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基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管
《物理学报》2023年第17期364-370,共7页武鹏 朱宏宇 吴金星 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题.
得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的...
关键词：铝镓氮/氮化镓 肖特基二极管 低反向漏电 高击穿电压 
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词：浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
AlGaN/GaN肖特基二极管阳极后退火界面态修复技术
《物理学报》2023年第19期278-284,共7页武鹏 李若晗 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题。
AlGaN/GaN异质结构材料在较强自发极化和压电极化的作用下,会产生高面密度和高迁移率的二维电子气,保障了基于该异质结构的GaN肖特基二极管器件具有高输出电流密度和低导通电阻特性.阳极作为GaN肖特基二极管的核心结构,对器件的开启电...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基二极管 低反向漏电 低界面态密度 
低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管被引量：5
《物理学报》2022年第15期299-305,共7页武鹏 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:JB211103)资助的课题。
氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率...
关键词：自支撑氮化镓衬底 肖特基势垒二极管 低反向漏电 铝镓氮/氮化镓 
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