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检索条件："关键词=吸收区-电荷区-倍增区分离 "
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低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析被引量：3
《中国激光》2021年第17期10-16,共7页崔星宇 林逢源 张志宏 唐吉龙 方铉 房丹 王登魁 李科学 魏志鹏 
国家自然科学基金(61674021,11674038,61704011,61904017,11804335,12074045);吉林省科学技术发展项目(20200301052RQ);吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ)。
提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。...
关键词：材料 INGAAS/INP 碰撞电离工程(I^(2)E) 吸收区-电荷区-倍增区分离 电离阈值能量 过剩噪声 
Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：1
《红外与激光工程》2015年第4期1349-1353,共5页王巍 颜琳淑 王川 杜超雨 王婷 王冠宇 袁军 王振 
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：...
关键词：Ge/Si雪崩二极管 吸收区-电荷区-倍增区分离 器件仿真 
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