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CMOS工艺制作的横向多晶硅p^+p^-n^+结的温度特性及其应用
《半导体光电》2005年第3期219-222,共4页陈二柱 梁平治 
应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27℃),恒定的正向偏置电流(1μA)工作条件下,横向多晶硅p+p-n+结正...
关键词：横向多晶硅p^+p^-n^+结 CMOS工艺 微测辐射热计 
基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计被引量：3
《红外与毫米波学报》2005年第3期227-230,共4页陈二柱 梁平治 
基于多晶硅pn结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计...
关键词：横向多晶硅p^+p^-n^+结 温度变化率 CMOS工艺 红外微测辐射热计 
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