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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第3期77-84,共8页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结...
关键词：MBE Ga原子团簇 Ga源温度 沉积时长 退火时长 
基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期79-84,共6页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇...
关键词：分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学 
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