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基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究被引量：9
《物理学报》2016年第2期176-181,共6页王帆 李豫东 郭旗 汪波 张兴尧 文林 何承发 
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 kr...
关键词：互补金属氧化物半导体图像传感器 电离总剂量效应 钳位二极管 满阱容量 
四管像素满阱容量影响因素研究被引量：3
《传感技术学报》2013年第6期815-819,共5页孙权 姚素英 徐江涛 徐超 张冬苓 
国家自然科学基金项目(61274021;61036004)
在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响,建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合,可以预估像素的满阱容量,指导像素设...
关键词：微电子学与固体电子学 四管像素 满阱容量 CMOS图像传感器 光电二极管电容 防穿通注入 
质子辐照下4T CMOS图像传感器满阱容量退化模拟研究被引量：6
《现代应用物理》2021年第3期131-139,共9页杨勰 王祖军 尚爱国 霍勇刚 薛院院 贾同轩 焦仟丽 
国家自然科学基金资助项目(11875223,11805155);国家科技重大专项资助项目(2014ZX01022-301);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803,SKLIPR1903Z,SKLIPR2012)。
以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了CMOS图像传感器结构模型和质子辐照模型;结合满阱容量计算模型,分析了不同注量质子辐照对光电二极管(PPD)电容、TG...
关键词：4T CMOS图像传感器 质子辐照模拟 满阱容量 抗辐射设计 
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理被引量：2
《现代应用物理》2019年第1期64-68,共5页蔡毓龙 李豫东 郭旗 文林 周东 冯婕 马林东 张翔 
国防工业发展计划资助项目(JCKY2016130C206)
用^(60)Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律。试验的吸收剂量率为50rad(Si)·s^(-1),测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200...
关键词：图像传感器 CMOS 满阱容量 电离总剂量效应 
传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响
《光子学报》2022年第11期296-303,共8页王倩 徐江涛 高志远 陈全民 
National Key Research and Development Program of China(No.2019YFB2204302)。
研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的...
关键词：图像传感器 CMOS有源像素 仿真 光电二极管 满阱容量 暗电流 电荷转移效率 
载荷探测器像元满阱参数测试被引量：2
《光学精密工程》2022年第13期1542-1554,共13页常振 王煜 林方 赵欣 黄书华 司福祺 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(No.61905256)。
在CCD成像电路的研发过程中,为了确保CCD达到最优的满阱性能,需要不断调整CCD驱动信号参数并进行满阱测试,该过程通常需要重复几十甚至上百次。通用的光子转移曲线法需要积分球等设备搭建平场光源,系统复杂,满阱测试效率较低。提出了一...
关键词：电荷耦合器件 满阱容量 光子转移曲线 LED点测试法 数据拟合 
TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究
《半导体光电》2020年第2期169-172,共4页曲杨 王欣洋 周泉 常玉春 
国家自然科学基金项目(11975066).
时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果。首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设...
关键词：时间延时积分 CMOS 光晕 横向抗晕栅 满阱容量 
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响被引量：4
《发光学报》2016年第3期332-337,共6页王帆 李豫东 郭旗 汪波 张兴尧 
国家自然科学基金(11005152)资助项目
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高...
关键词：CMOS图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度 
质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响
《物理学报》2025年第2期137-148,共12页彭治钢 白豪杰 刘方 李洋 何欢 李培 贺朝会 李永宏 
国家自然科学基金(批准号:12005159)资助的课题.
本文通过辐照实验和TCAD仿真,研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T PPD)CMOS图像传感器的饱和输出变化机理.实验采用的质子能量为12 MeV和60 MeV,最高质子注量为2×10^(12)cm^(-2).实验结果表明:12 MeV和60 MeV质子最高注...
关键词：CMOS图像传感器 总剂量效应 饱和输出 满阱容量 转换增益 
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