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检索条件："关键词=硅基衬底 "
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束流强度分布与膜厚的关系被引量：1
《红外》2019年第9期23-27,共5页李震 王文燕 强宇 王丛 高达 
为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。...
关键词：MBE 硅基衬底 束流分布 
Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2016年第2期87-97,共11页张望 韩伟华 吕奇峰 王昊 杨富华 
国家自然科学基金资助项目(61376096)
从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前...
关键词：晶体管 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 垂直结构 水平结构 硅基衬底 
硅基衬底Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3厚膜制备的Sol-gel新方法被引量：7
《Journal of Semiconductors》2002年第8期830-834,共5页王喆垚 刘建设 任天令 刘理天 李志坚 
国家 973( No.G19990 3310 5 )资助项目;清华大学 985 ( No.985 -信息 -4 0 -重点 -0 5 )资助项目~~
介绍了一种改进的制备压电厚膜的 sol- gel新方法 ,通过添加聚乙烯吡咯烷酮 (poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生 .文中讨论了最大无裂纹膜厚与 PVP摩尔比及热处理的关系 ,并给出了 BST的 SEM显微照片 .
关键词：硅基衬底 厚膜 MEMS 溶胶-凝胶 微电子机械 压电陶瓷 
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