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检索条件："关键词=BSIM漏电模型 "
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深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器被引量：3
《计算机研究与发展》2004年第5期880-885,共6页徐勇军 陈治国 骆祖莹 李晓维 
国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 70 0 2);国家"八六三"高技术研究发展计划基金项目( 2 0 0 1AA1110 70 )
随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚...
关键词：漏电功耗 深亚微米工艺 BSIM漏电模型 
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