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检索条件："关键词=SiO₂/SiN_x "

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高光提取效率的倒装GaN基LED的研究: 《中国科学（F辑:信息科学）》2009年第9期1021-1026,共6页达小丽沈光地徐晨邹德恕朱彦旭张剑铭; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划(批准号:05002015200504)资助项目; 为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,...; 关键词：氮化镓发光二极管 SiO<sub>2sub>/SiN<sub>xsub> 多层介质膜高反镜等离子体增强化学气相沉积

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