GaN纳米线材料的特性和制备技术  

Characteristics and Fabrication Technology of GaN Nanowire Material

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 修向前[1] 毕朝霞[1] 刘斌[1] 江若琏[1] 沈波[1] 顾书林[1] 韩平[1] 朱顺明[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,南京210093

出　　处：《纳米技术与精密工程》2004年第3期187-191,共5页Nanotechnology and Precision Engineering

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (G2 0 0 0 0 6830 5) ;国家高技术研究发展规划项目 (2 0 0 1AA31 1 1 1 0 ;2 0 0 3AA31 1 0 60 ) ;国家自然科学基金资助项目 (699760 1 4;6980 60 0 6;699870 0 1 ) ;国家杰出青年基金资助项目 (60 0 2 541 1 ) ;江苏省自然科学基

摘　　要：GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题 .简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术 ;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性 .用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到 5～ 12nm ,长度达到几百个微米 .纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构 ,其PL谱具有宽的发射峰 ,谱峰中心在 42 0nm .GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用 .GaN is a kind of wide band gap semiconductor materials.The outstanding thermal and chemical stability of GaN enable it and its devices to operate at high temperature and in hostile environments,also makes it attractive to high microwave power application.During the last few years,since the field has been revolutionized by success in fabrication GaN blue LEDs, GaN qualify as the hottest topic in compound semiconductor research.The latest progress of the characteristics of GaN nanowires and their fabrication technology are reviewed in this paper. The diameter of the nanowires has been 5-12 nm, the length is about hundreds of micrometers. The nanowires are single crystal with hexagonal wurzite structure and their PL spectra show a broad emission peak centered at 420 nm. The GaN nanowires have been applied to fabricate the Schottky diode.

关 键 词：GAN纳米线 宽禁带半导体 相关器 蓝光二极管 PL谱 化合物半导体 微波器件 CVD法 中心 化学性质 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]