新型侧壁绝缘体硅微机械工艺  

New Bulk Silicon Micromaching Technology with Sidewall Isolation

作　　者：程保罗[1] 李昕欣[2] 王跃林[2] 焦继伟[2] 车录锋[2] 张鲲[2] 戈肖鸿[2] 宋朝晖[2] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050

出　　处：《仪表技术与传感器》2005年第1期7-9,共3页Instrument Technique and Sensor

基　　金：国家自然科学基金委资助项目(60204002)

摘　　要：介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨,并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理,器件的压阻敏感电阻部分,通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。Introduced a new bulk silicon micromaching technology to replace SOI wafer with normal silicon wafer in the application of sidewall electrical connection. DRIE was used to form an isolation trench that is filled by SiO2 layer. The SiO2 Bar was used to isolate the sidewall of device. The process design, possible problem, fabrication details of this technology were given with an example of accelerometer.The piezoresistor of the accelerometer was formed by sidewall impurity diffusion.

关 键 词：微机电系统 体硅工艺 侧壁扩散 绝缘工艺 加速度传感器 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]