A High Performance InP HEMT with Saw Toothed Source and Drain  

锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件(英文)

作　　者：张海英[1] 刘训春[1] 尹军舰[1] 陈立强[1] 王润梅[1] 牛洁斌[1] 刘明[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第6期1126-1128,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~

摘　　要：Millimeter wave transistor technology is very important for MMIC design and fabrication.An InP HEMT with saw toothed source and drain is described.The pattern distortion due to the proximity effect of lithography is a voided.High yield InP HEMT with good DC and RF performances is obtained. The device transconductance is 1050mS/mm,threshold voltage is -1 0V,and current gain cut off frequency is 120GHz.毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.

关 键 词：INP HEMT MMIC 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]