Hf基高K栅介质材料研究进展  

The Development of Hf Based High-K Gate Dielectrics

作　　者：王韧[1] 陈勇[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054

出　　处：《材料导报》2005年第11期20-23,共4页Materials Reports

摘　　要：随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MOSFET 的栅介质材料。综述了高 K 栅介质材料的意义、Hf 基高 K 栅介质材料的最新研究进展和 Hf 基高 K 栅介质材料在克服自身缺陷时使用的一些技术;介绍了一款由 Hf 基高 K 介质材料作为栅绝缘层制作的 MOSFET。With the rapid development of microelectronics technology, the feature size of MOSFET has scaled down to below 100nm. Silicon dioxide will no longer meet the requirements of the future MOSFET for gate dielectric material. So, we should look for a new high-K gate dielectric to replace SiO2. It is widely believed that Hf based high- K gate dielectrics material is the most prospective one to replace silicon dioxide as the next generation gate dielectrics material. This paper provides a brief view of the significance of high-K gate dielectric, the latest development of high- K gate dielectric, and what people have done to overcome the drawback of high-K gate dielectric. In the end, this paper introduces a MOSFET fabricated by high-K gate dielectric.

关 键 词：高介电常数 栅介质材料 HFO2 HFSION 层叠结构 高K栅介质 Hf 材料研究 MOSFET 微电子技术 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN248.5