云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HFSION

HFSION: 作品数：9被引量：18H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：徐秋霞冯丽萍刘正堂李永亮许高博更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所西北工业大学电子科技大学暨南大学更多>>; 相关期刊：《稀有金属材料与工程》《材料开发与应用》《Chinese Physics B》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划西北工业大学基础研究基金北京市自然科学基金更多>>

A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process: 《Chinese Physics B》2013年第11期536-540,共5页许高博徐秋霞殷华湘周华杰杨涛牛洁斌余嘉晗李俊峰赵超; Project supported by the Beijing Natural Science Foundation,China(Grant No.4123106);the National Science and Technology Major Projects of the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2009ZX02035); A gate-last process for fabricating HfSiON/TaN n-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors （NMOSFETs） is presented. In the process, a HfSiON gate dielectric with an equivalent oxide thickness of 10 ...; 关键词：HFSION TAN gate-last process planarization

Dry etching of poly-Si/TaN/HfSiON gate stack for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2011年第7期145-149,共5页李永亮徐秋霞; Project supported by the Special Funds for Major State Basic Research Projects,China(No.2006CB302704 );the National Natural Science Foundation of China(No.60776030); A novel dry etching process of a poly-Si/TaN/HfSiON gate stack for advanced complementary metal-oxide-semiconductor（CMOS） devices is investigated.Our strategy to process a poly-Si/TaN/HfSiON gate stack is that each ...; 关键词：TaN metal gate HfSiON high-k plasma etching SELECTIVITY INTEGRATION

金属闸极在HfSiON绝缘层互补式金氧半场效应电晶体之可靠度研究: 《明新學報》陳啓文(Chii-Wen Chen) 顏良承(Liang-Cheng Yan) 葉郁龍(Yu-Long Yeh) 葉文冠(Wen-Kuan Yeh) 陳育廷(Yu-Ting Chen); 本文探讨有堆叠金属闸极元件与没有堆叠金属闸极元件来做热载子不稳定性(Hot-carrier instability, HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative-bias-temperature instability, NBTI)後，元件参数值劣化的机制，及低频杂讯(Low frequency noise...; 关键词：金屬閘極熱載子不穩定性負偏壓溫度不穩定性閘極漏電流低頻雜訊

Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate被引量：1: 《Chinese Physics B》2010年第5期524-529,共6页胡爱斌徐秋霞; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB302704); Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors （p-MOSFETs） with hafnium silicon oxynitride （HfSiON） gate dielectric and tantalum nitride （TAN） metal gate are fabricated. Self-isolated rin...; 关键词：Ge substrate TRANSISTOR HFSION hole mobility

Wet etching characteristics of a HfSiON high-k dielectric in HF-based solutions被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2010年第3期107-111,共5页李永亮徐秋霞; supported by the Special Funds for Major State Basic Research Projects(No.2006CB302704);the National Natural Science Foundation of China(No.60776030).; The wet etching properties ofa HfSiON high-k dielectric in HF-based solutions are investigated. HF-based solutions are the most promising wet chemistries for the removal of HfSiON, and etch selectivity of HF-based sol...; 关键词：HFSION HIGH-K wet etching interfacial layer

Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapour deposition被引量：2: 《Chinese Physics B》2009年第2期768-772,共5页许高博徐秋霞; supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (Grant No 2006CB302704);the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60776030); This paper presents a method using simple physical vapour deposition to form high-quality hafnium silicon oxynitride （HfSiON） on ultrathin SiO2 buffer layer. The gate dielectric with 10A （1A = 0.1 nm） equivalent o...; 关键词：HFSION high-k gate dielectric SPUTTERING leakage current

使用金属闸极或多晶矽闸极在HfSiON绝缘层上之元件电性研究: 《明新學報》陳啓文(Chii-Wen Chen) 葉郁龍(Yu-Long Yeh) 賴信誠(Hsin-Cheng Lai) 葉文冠(Wen-Kuan Yeh) 陳育廷(Yu-Ting Chen); 本文探讨金属闸极与多晶矽闸极之高介电系数闸极绝缘层NMOSFET电性之比较。由实验我们观察到金属闸极元件具有较低的闸极穿隧漏电流，这是因为多晶矽与HfSiON会互相作用，造成多晶矽闸极HfSiON界面缺陷密度或HfSiON闸极绝缘层内缺陷密...; 关键词：閘極穿隧漏電流高介電係數材料金屬閘極

新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究被引量：3: 《稀有金属材料与工程》2008年第11期2008-2011,共4页冯丽萍刘正堂田浩; 西北工业大学基础研究基金(04G53043); 为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测...; 关键词：高K栅介质 HfSiON薄膜射频反应溅射

射频磁控溅射法制备HfSiON高k薄膜的结构特性被引量：2: 《材料开发与应用》2008年第2期5-7,17,共4页冯丽萍刘正堂; 在室温下,采用射频磁控溅射法在p型Si(111)衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSiON薄膜的成分,用掠入射X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜...; 关键词：射频磁控溅射 HfSiON薄膜高k 栅介质

先进的Hf基高k栅介质研究进展被引量：5: 《电子器件》2007年第4期1194-1199,共6页许高博徐秋霞; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302704);国家自然科学基金资助项目(60576032); 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺...; 关键词：高介电常数 HFO2 HFON HFSION HfTaON

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