HFON

作品数：7被引量：12H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：苏小平张树玉徐秋霞许高博陈建雄更多>>
相关机构：北京有色金属研究总院中国科学院微电子研究所华中科技大学首都医科大学附属北京儿童医院更多>>
相关期刊：《激光与红外》《中国实用儿科杂志》《物理学报》《电子器件》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
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LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较被引量：2
《物理学报》2013年第23期428-434,共7页何美林 徐静平 陈建雄 刘璐 
国家自然科学基金(批准号:60976091);中央高校基本科研业务费(批准号:HUST:2013QN037)资助的课题~~
本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性.实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性.其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中...
关键词：MONOS 双隧穿层 LaON HFON 
Effects of silicon nitride diffusion barrier on germanium MOS capacitors with HfON gate dielectrics被引量：1
《Journal of Semiconductors》2009年第10期33-37,共5页胡爱斌 徐秋霞 
supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB302704)
MOS capacitors with hafnium oxynitride（HfON）gate dielectrics were fabricated on Ge and Si substrates using the RF reactive magnetron sputtering method.A large amount of fixed charges and interface traps exist at the...
关键词：Ge MOS capacitor HFON Ge oxides silicon nitride 
Visible photoluminescence of porous silicon covered with an HfON dielectric layer
《Journal of Semiconductors》2009年第8期14-17,共4页蒋然 张燕 
supported by the China Postdoctoral Science Foundation (No.20080431176);the Shandong Special Fund for Postdoctoral Innovative Project (No.200702027);the Doctoral Fund of the Ministry of Education of China (No.200804221006)
With HfON filling the holes in porous silicon （PS）, films with improved photoluminescence （PL） at room temperature were prepared. A strong blue peak at 425 nm and a red peak at 690 nm were observed in PL spectra. ...
关键词：hafnium oxynitride dielectrics diffusion luminescence POROSITY 
ZnS上HfON保护膜及增透膜系的制备和性能研究被引量：2
《激光与红外》2009年第5期531-533,共3页刘伟 张树玉 闫兰琴 袁果 刘嘉禾 黎建明 杨海 苏小平 余怀之 
用氮氧化铪薄膜作为CVDZnS衬底的保护膜、由YbF3和ZnS组成的增透膜系分别在CVDZnS的两面制备了保护膜和增透膜,研究了镀膜前后CVDZnS在8-12μm波段的光学性能,单面镀制增透膜之后CVDZnS在此波段的平均透过率由未镀膜前的74%提高到了82%...
关键词：硫化锌 氮氧化铪保护膜 增透膜 硬度 
先进的Hf基高k栅介质研究进展被引量：5
《电子器件》2007年第4期1194-1199,共6页许高博 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302704);国家自然科学基金资助项目(60576032)
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺...
关键词：高介电常数 HFO2 HFON HFSION HfTaON 
溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期169-171,共3页蒋然 谢二庆 贾昌文 林洪峰 潘孝军 李晖 
用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了...
关键词：氮氧化铪 光致发光 能量转换 溅射 
高频振荡通气的气体交换被引量：2
《中国实用儿科杂志》2000年第8期499-501,共3页曾健生 樊寻梅 陈贤楠 
关键词：高频振荡通气 HFON 气体交换 
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