铜互连工艺中的CMP制程  

作　　者：谢贤清 

机构地区：[1]Applied Materials China

出　　处：《集成电路应用》2006年第6期40-40,8,共2页Application of IC

摘　　要：互连工艺中第一次采用CMP是在Al互连中的钨塞（W Plug）的平坦化工艺中。主要原因是采用非选择性的WCVD工艺能够有效填充互连金属层之间的导通孔（Via），并具有良好的一致性。但是，随着器件尺寸的减小，结构性能越来越复杂，铝线的缺点越来越明显，包括响应延迟（用RC表征）等。由于铜具有良好的导电性能和优异的电迁移特性，因此铜工艺化学机械研磨（Cu CMP）正逐渐进入人们的视野。

关 键 词：互连工艺 铜工艺 CMP 制程 化学机械研磨 CVD工艺 非选择性 结构性能 迁移特性 导电性能 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TP305[自动化与计算机技术—计算机系统结构]