100nm超浅结制作工艺研究  

A Study on 100nm Ultra-Shallow Junction Process

作　　者：王学毅[1] 徐岚[1] 唐绍根[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2007年第2期177-179,184,共4页Microelectronics

摘　　要：在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。An N-type ultra-shallow junction is obtained by using low energy implantation and rapid thermal annealing （RTA）. The junction depth is less than 100 nm with high doping concentration. Furthermore, channeling and transient enhancement diffusion （TED） effects, which are very important in the process, are also discussed.

关 键 词：超浅结 快速热退火 离子注入 沟道效应 瞬态增强扩散效应 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]