一种高速高压NPN管的研制  

作　　者：张正元[1,2] 龙绍周[1,2] 刘建华[1,2] 张庆中[1,2] 

机构地区：[1]电子工业部第二十四研究所 [2]电子科技大学

出　　处：《微电子学》1997年第5期350-353,共4页Microelectronics

摘　　要：把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。

关 键 词：半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 NPN晶体管 

分 类 号：TN320.5[电子电信—物理电子学]