2～11GHz GaN HEMT功率MMIC  

2～11 GHz GaN HEMT Power MMIC

作　　者：陈辰[1] 张斌[1] 陈堂胜[1] 焦刚[1] 任春江[1] 

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管 南京电子器件研究所 微波单片集成电路 输出阻抗 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学] TN32