采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态  

Strain analysis on Al_xGa_(1-x)N/GaN by high resolution XRD

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 张彤[1] 周元俊[1] 刘斌[1] 张曾[1] 李弋[1] 宋黎红[1] 崔颖超[1] 傅德颐[1] 修向前[1] 韩平[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第11期1623-1627,共5页

基　　金：国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划(编号:2006AA03A118,2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60676057,60731160628,60776001,60820106003);江苏省自然科学基金(编号:BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目

摘　　要：利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下Al组分的计算方程式,得出完全应变情况下Al组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合.A series of AlxGa1-xN/GaN heterostructures is analyzed by high resolution X-ray diffraction （HRXRD）. From symmetric （002） and asymmetric（105） reciprocal space maps, the in-plane and out-of-plane lattice parameters are calucated. When the strain is taken into account, the accurate Al mole fraction（x） can be deduced from a cubic equation. The results show that a fully strained AlxGa1-xN/GaN, heterostructure with x=30.86% is determined, which is consistent with x=30% probed by RBS.

关 键 词：高分辨X射线衍射 倒易空间图 应变 弛豫 

分 类 号：O472.91[理学—半导体物理]