SiHP16N50C等：功率MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2010年第11期33-33,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。

关 键 词：功率MOSFET 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 N沟道 封装 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]