SiHG47N60S：功率MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2010年第12期28-28,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET——SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0．07D的最大导通电阻，栅极电荷216nC，采用TO－247封装。SiHG47N60S的优值系数（FOM）为15．12Ω·nC。

关 键 词：功率MOSFET 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 优值系数 N沟道 封装 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]