C_3N_4硬膜的人工合成和鉴定  

作　　者：顾有松[1] 张永平[1] 常香荣[1] 田中卓[1] 陈难先 时东霞[2] 张秀芳[2] 袁磊[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1999年第8期757-768,共12页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :19392 30 0 ;196 740 0 9);北京科技大学新材料国家重点实验室和中国科学院北京真空物理实验室资助项目

摘　　要：用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α 和β C3 N4的混合物 .总的N/C比在 1 0～ 2 0之间 .FT IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到 34 9GPa .

关 键 词：氮化碳 MPCVD 硬膜 化学气相沉积 人工合成 鉴定 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]