具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计  

A 300V Thin Layer SOI RESURF nLDMOS with Multiple Field Plates

作　　者：王卓[1] 邹杰[1] 周锌[1] 卢慕婷 乔明[1] 张波[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《微电子学》2013年第6期841-845,共5页Microelectronics

基　　金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ201203)

摘　　要：提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低。A A 300 V thin-layer SOI RESURF nLDMOS with multiple field plates （MFP） was proposed, in which RESURF and MFP technology were used to modulate electric field distribution on the device surface and improve breakdown voltage of the device. Structural parameters of the device were analyzed to achieve a trade-off between breakdown voltage and specific on-resistance. Compared with conventional structures, the proposed 300 V nLDMOS device achieved high breakdown voltage with a simple and low cost fabrication process.

关 键 词：SOI NLDMOS 降低表面场 多阶场板 击穿电压 比导通电阻 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]