云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NLDMOS

NLDMOS: 作品数：20被引量：20H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：孔令军汪洋许生根张海鹏刘怡新更多>>; 相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司杭州电子科技大学电子科技大学东南大学更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究: 《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾单书珊余山刘芳钟明琛邵亚利; 国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。; 为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...; 关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入可靠性交直流转换因子寿命预计 Kirk效应

一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件: 《电子与封装》2021年第8期71-76,共6页马红跃方健雷一博黎明卜宁张波; 提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制...; 关键词：600 V NLDMOS 双栅总剂量阈值电压漂移

NLDMOS器件性能优化及分析被引量：2: 《半导体光电》2020年第1期99-102,140,共5页李维杰王兴王云峰李洋孟丽华; 提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程,通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入,引出衬底电荷,以优化NLDMOS器件的击穿电压(Vb)与比导通电阻(Rsp)。选择不同的注...; 关键词：NLDMOS 击穿电压比导通电阻离子注入快速热退火

高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响被引量：2: 《微电子学》2020年第1期142-147,共6页代钢牛健姬濯宇; 国家自然科学基金资助项目(61674167);国家重点研发计划资助项目(2018YFB1500500,2018YFB1500200).; 基于SMIC 0.18μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析。结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为5...; 关键词：高压BCD工艺 NLDMOS 结构参数击穿电压比导通电阻

功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1: 《半导体技术》2019年第8期623-627,658,共6页陈轶群陈佳旅蒲贤勇; 在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行...; 关键词：功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP)

30 V NLDMOS结构优化及SEB能力提高被引量：6: 《电子与封装》2018年第10期36-39,共4页李燕妃吴建伟顾祥洪根深; 随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单粒子烧毁效应(SEB)研究。诱发单粒子烧毁效应源于N型MOSFET器...; 关键词：TCAD 抗辐射加固单粒子烧毁 P型埋层 LDMOS

0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS研究被引量：1: 《电子与封装》2016年第7期39-43,共5页冯喆韻马千成汪铭; 介绍一组基于0.18μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10~30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低...; 关键词：LDMOS 低导通态电阻完全隔离型

跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白: 《半导体信息》2015年第1期8-8,共1页江安庆; 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司("华润上华")自主研发的"跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法"专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺...; 关键词：NLDMOS 晶圆生产集成电路工艺开关电源漂移区器件结构于华导通电阻同心环驱动电源

A novel NLDMOS with a high ballast resistance for ESD protection: 《Journal of Semiconductors》2014年第2期47-50,共4页樊航张波; Project supported by the Important National S&T Special Project of China(No.2010ZX02201-003-002); To prevent the non-uniform conduction phenomenon caused by the Kirk effect in an NLDMOS under ESD stress, a novel NLDMOS structure is proposed. High electron injection current is the base of Kirk effect. Higher electr...; 关键词：electro-static discharge ballast resistance LDMOS

具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计: 《微电子学》2013年第6期841-845,共5页王卓邹杰周锌卢慕婷乔明张波; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ201203); 提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS...; 关键词：SOI NLDMOS 降低表面场多阶场板击穿电压比导通电阻

NLDMOS