应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究  

STUDY ON STRESS INDEUCED LEAKAGE CURRENT TRANSIENT CHARACTERISTICS IN THIN GATE OXIDE

作　　者：刘红侠[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《物理学报》2001年第9期1769-1773,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :86 3 SOC Y 3 6 1)资助的课题&&

摘　　要：分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 .在这两种应力条件下 ,应力导致的漏电流 (SILC)与时间的关系均服从幂函数关系 ,但是二者的幂指数不同 .热空穴应力导致的漏电流中 ,幂指数明显偏离 - 1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性 .研究结果表明 :热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没 .利用热电子注入技术 ,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱 .FN tunneling and hot hole (HH) stress induced leakage current (SILC) transient characteristics in thin gate oxide are investigated. Under both stress conditions, the stress induced leakage current obeys a power-law time dependence with different power factor. For HH SILC, the power factor significantly departs from -1. HH SILC is found to have a more pronounced transient effect. The results show that HH SILC can be attributed to positive oxide detrapping and annihilation of positive charge-assisted tunneling current. The latter can be diminished by substrate hot electron injection.

关 键 词：薄栅氧化层 应力导致的漏电流 SILC FN隧穿 热空穴应力 漏电流瞬态特性 幂函数 热电子注入 MOS器件 量子电动力学 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]