用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展  

Developments of copper-to-copper low temperature bonding technology for 3D packaging

作　　者：李科成[1] 刘孝刚[1] 陈明祥[1,2] 

机构地区：[1]华中科技大学机械科学与工程学院,湖北武汉430074 [2]武汉光电国家实验室MOEMS研究部,湖北武汉430074

出　　处：《电子元件与材料》2015年第1期9-14,共6页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.51275194);材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金资助项目(No.2014-KF-11)

摘　　要：在三维系统封装技术中,金属热压键合是实现多层芯片堆叠和垂直互连的关键技术。为了解决热压键合产生的高温带来的不利影响,工业界和各大科研机构相继开发出了多种低温键合技术。综述了多种不同的低温金属键合技术(主要是Cu-Cu键合),重点阐述了国内外低温金属键合技术的最新研究进展及成果,并对不同低温金属键合技术的优缺点进行了分析和比较。Metal thermo compression bonding approach is the key technology for the realization of multi-chip stacking and vertical interconnection in 3D system packaging. In order to eliminate the adverse impact of high temperature, various low temperature bonding methods are developed by the world-wide companies and research institutes. Different low temperature metal bonding approaches （mainly Cu-Cu bonding） are reviewed and introduced, the latest developments and results are focused on. The merits and drawbacks of various low temperature bonding technologies are analyzed.

关 键 词：三维封装 热压键合 综述 低温键合 电子封装 异质集成 系统封装 

分 类 号：TN405.97[电子电信—微电子学与固体电子学]