压阻式硅微加速度计的研制  

Development of piezoresistive silicon-micro-accelerometer

作　　者：张精华[1] 田雷[1] 迟晓珠[1] 王伟[1] 侯占民[1] 吴亚林[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《传感器技术》2003年第12期40-42,共3页Journal of Transducer Technology

摘　　要：介绍压阻式硅微加速度计的结构设计。采用等离子体刻蚀技术制作成硅微加速度计。该技术具有腐蚀深宽比高、掩模选择性好的特点,适用于微机械器件的制作。通过测试,加速度计的非线性达到0.2%。讨论了影响加速度计灵敏度的结构因素和工艺因素。Structure design of piezoresistive silicon-micro-accelerometer is introduced. Silicon-micro-accelerometer is fabricated by plasma etch technology. The characters of the technology are high aspect ratio and very high mask selectivities. The technology is applied to micro-machine fabrication. Through testing, non-linearity of the accelerometer is 0.2%. Structure factor and technology factor effecting sensitivity of the accelerometer are discussed.

关 键 词：压阻式 硅微加速度计 结构设计 等离子体刻蚀 MEMS 

分 类 号：TH824.4[机械工程—仪器科学与技术] TP212[机械工程—精密仪器及机械]