国家科技重大专项(2010ZX02301-003)

作品数：4被引量：9H指数：3
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重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响被引量：1
《材料科学与工程学报》2016年第3期345-347,361,共4页赵泽钢 赵剑 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金资助项目(60906001和61274057);国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003)
对比研究了轻掺硼(1.5×10^(16)cm^(-3))和重掺硼(1.2×10^(20)cm^(-3))直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况。研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的。在900℃...
关键词：单晶硅片 重掺硼 位错滑移 
应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响被引量：3
《物理学报》2015年第20期409-414,共6页赵泽钢 田达晰 赵剑 梁兴勃 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(批准号:60906001,61274057);国家科技重大专项(批准号:2010ZX02301-003)资助的课题~~
单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或...
关键词：单晶硅片 压痕 位错滑移 应力释放 
n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率被引量：3
《材料科学与工程学报》2015年第1期5-8,4,共5页易俊 陈鹏 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金资助项目(60906001);国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003)
通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系。通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018cm-3数量级的补偿单晶硅电...
关键词：电子迁移率 补偿 硅 
单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移被引量：4
《物理学报》2013年第16期411-415,共5页徐嶺茂 高超 董鹏 赵建江 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(批准号:50832006);国家科技重大专项(批准号:2010ZX02301-003);浙江省创新团队(批准号:2009R50005);浙江省自然科学基金(批准号:R4090055)资助的课题~~
研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明:在快速热处理时,位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移;当快速热处理温度高于1100℃时,在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有...
关键词：快速热处理 位错滑移 机械性能 单晶硅 
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