云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 江苏省科技支撑计划项目(BE20120070)

江苏省科技支撑计划项目(BE20120070): 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关作者：王金周建军孔岑陈堂胜倪金玉更多>>; 相关机构：南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关主题：HEMT减薄外延层欧姆接触低温合金更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究: 《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛; 国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070); 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管外延层减薄低温合金欧姆接触