国家高技术研究发展计划(2002AA311070)

作品数：7被引量：36H指数：2
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相关作者：王占国张春玲赵凤瑷刘峰奇朱天伟更多>>
相关机构：中国科学院兰州大学武警医学院北京工业大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《物理学报》《物理》更多>>
相关主题：半导体量子点GAASINAS/GAASPL谱发光波长更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>
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解理面预处理方法对二次外延的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期544-548,共5页张春玲 唐蕾 徐波 陈涌海 王占国 
国家自然科学基金((批准号:60390071;60276014;90101004);国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)资助项目~~
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法...
关键词：分子束外延 量子线 表面结构 
Wet Oxidation of Al_x Ga_(1-x)As/GaAs Distributed Bragg Reflectors
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1519-1523,共5页李若园 王占国 徐波 金鹏 张春玲 郭霞 陈敏 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303,2002CB311905);国家自然科学基金(批准号:60390071,60276014,90101002,90101004,90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070,2002AA311020,2002AA311170)资助项目~~
The wet oxidation of AlGaAs with high Al content in a distributed Bragg reflectors （DBR） is studied by scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM）. Some voids distribute along t...
关键词：wet oxidation vertical cavity surface emitting laser distributed Bragg reflectors AL2O3 INTERFACE 
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1647-1651,共5页张春玲 赵凤瑷 徐波 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303);国家自然科学基金(批准号:60290071;60276014;90101004;90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070;2002AA311170)资助项目~~
在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 应力 量子点 有序生长 
半导体量子点及其应用(Ⅱ)被引量：1
《物理》2004年第5期327-334,共8页赵凤瑷 张春玲 王占国 
国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4;60 2 90 0 81);国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目
关键词：半导体量子点 半导体物理学 量子器件 半导体量子点激光器 量子点红外探测器 单光子光源 
半导体量子点及其应用(Ⅰ)被引量：28
《物理》2004年第4期249-256,共8页赵凤瑷 张春玲 王占国 
国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4;60 2 90 0 81);国家重点基础研究发展计划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目
量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要...
关键词：半导体量子点 量子点制备 量子点结构 量子点检测 纳米科学 
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究被引量：4
《物理学报》2004年第1期301-305,共5页朱天伟 徐波 何军 赵凤瑷 张春玲 谢二庆 刘峰奇 王占国 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000068303);国家自然科学基金(批准号:60076024;90101002;90201033);国家高技术研究发展计划项目(批准号:2002AA311070);中国科学院知识创新重大项目(批准号:KJCX10606)资助的课题~~
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;...
关键词：砷化铟 砷化镓 柱形岛 生长停顿 间隔层厚度 PL谱 分子束外延 量子点 发光波长 
具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究被引量：2
《物理学报》2003年第8期2087-2091,共5页朱天伟 张元常 徐波 刘峰奇 王占国 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 2 4;90 10 10 0 2;90 2 0 10 3 3 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 );中国科学院知识创新重大项目 (批准号 :KJCX1 0 6 0 6)资助的课题~~
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样...
关键词：InGaAs量子点 制备 InAlAs浸润层 自组装 量子阱 半导体 砷镓铟化合物 砷铝铟化合物 PL镨 
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