云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0029)

教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0029): 作品数：2被引量：19H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：黄安平王玫肖志松郑晓虎贾林楠更多>>; 相关机构：北京航空航天大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》更多>>; 相关主题：调制高K材料介质石墨烯FINFET更多>>; 相关领域：电气工程电子电信更多>>

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界面效应调制忆阻器研究进展被引量：15: 《物理学报》2012年第21期432-442,共11页贾林楠黄安平郑晓虎肖志松王玫; 国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013;11074020);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-08-0029);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(批准号:KL201209SIC)资助的课题~~; 忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的...; 关键词：忆阻器忆阻机理界面效应非易失存储

高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4: 《物理学报》2012年第13期473-480,共8页黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫; 国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013和11074020);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-08-0029)资助的课题~~; 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、...; 关键词：高K材料 FINFET 石墨烯器件忆阻器

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