中国博士后科学基金(20070411013)

作品数：4被引量：2H指数：1
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相关机构：南京邮电大学东南大学南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《南京邮电大学学报（自然科学版）》更多>>
相关主题：击穿电压SOI厚度横向高压器件绝缘层上硅更多>>
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任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型被引量：1
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2010年第5期11-15,共5页郭宇锋 花婷婷 
国家自然科学基金(60806027;61076073);中国博士后科学基金(20070411013);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KF2008001);江苏省高校自然科学基金(08KJA510002;09KJB510010)资助项目
基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据。借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、...
关键词：降低表面电场 功率器件 表面电场 击穿电压 解析模型 
变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第1期42-46,79,共6页郭宇锋 王志功 管邦虎 
国家自然科学基金(60806027);中国博士后基金(20070411013);江苏省自然科学基金(BK2007605);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KF2007001)
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向...
关键词：绝缘层上硅 击穿电压 漂移区电阻 横向变掺杂 横向变厚度 
A three-dimensional breakdown model of SOI lateral power transistors with a circular layout
《Journal of Semiconductors》2009年第11期51-54,共4页郭宇锋 王志功 许健 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No.60806027);the China Postdoctoral Science Foundation (No.20070411013);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China (No.BK2007605);the State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices (No.KF2007001)
This paper presents an analytical three-dimensional breakdown model of SOI lateral power devices with a circular layout. The Poisson equation is solved in cylindrical coordinates to obtain the radial surface potential...
关键词：SOI three dimensional breakdown voltage： model： RESURF 
SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2008年第3期22-26,43,共6页郭宇锋 王志功 
中国博士后基金(20070411013);江苏省自然科学基金(BK2007605);江苏省高校自然科学基金(06KJB510077);南京邮电大学博士启动基金(NY205051)资助项目
高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建...
关键词：SOI高压互连线 电场分布 击穿电压 
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