国家自然科学基金(61040060)

作品数：3被引量：5H指数：1
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相关作者：刘军林江风益王光绪熊传兵邱虹更多>>
相关机构：南昌大学晶能光电(江西)有限公司闽南师范大学更多>>
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相关主题：氮化镓GAN基发光二极管硅衬底SI衬底SION更多>>
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图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1
《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...
关键词：氮化镓 发光二极管 自由支撑 光致发光 
SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响被引量：2
《发光学报》2011年第6期603-607,共5页邱虹 刘军林 王立 江风益 
国家自然科学基金(61040060);教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730)资助项目
研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED,分别标记为样品A、B、C、D。样品A无钝化层,样品B为台面SiON钝化,样品C为侧面SiON钝化,样品D为台面和侧面均钝化。将4种样品进行了常温60 mA(电流密度312 A/cm2)下168 h的加速老化,并对比...
关键词：SION SI衬底 GaN 光衰 LED 
牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：2
《物理学报》2011年第7期808-813,共6页王光绪 陶喜霞 熊传兵 刘军林 封飞飞 张萌 江风益 
教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家自然科学基金(批准号:51072076,61040060)资助的课题~~
本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬...
关键词：氮化镓 发光二极管.牺牲Ni退火 p型接触 
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