国家自然科学基金(61136004)

作品数：8被引量：24H指数：4
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相关期刊：《发光学报》《液晶与显示》《Journal of Semiconductors》《复旦学报（自然科学版）》更多>>
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氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响
《复旦学报（自然科学版）》2016年第6期766-771,共6页孟婷 杨建文 张智翔 张群 谢汉萍 
国家自然科学基金(61136004,61471126)
本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说...
关键词：a-IWO沟道层 薄膜晶体管 氧流量 
退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响被引量：2
《发光学报》2016年第4期457-462,共6页许玲 吴崎 董承远 
国家自然科学基金面上项目(61474075);国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效...
关键词：非晶铟钨氧 薄膜晶体管 退火温度 氧空位 表面粗糙度 
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究被引量：4
《液晶与显示》2016年第4期375-379,共5页吴崎 许玲 董承远 
国家自然科学基金面上项目(No.61474075);国家自然科学基金重点项目(No.61136004)~~
为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极...
关键词：非晶铟镓锌氧 薄膜晶体管 银电极 磁控溅射 平板显示 
非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究被引量：2
《发光学报》2014年第10期1264-1268,共5页张丽 许玲 董承远 
国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SP...
关键词：非晶体铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 有机发光二极管 像素电路 
Effect of active layer deposition temperature on the performance of sputtered amorphous In–Ga–Zn–O thin film transistors被引量：2
《Journal of Semiconductors》2014年第1期34-39,共6页吴杰 施俊斐 董承远 邹忠飞 陈宇霆 周大祥 胡哲 詹润泽 
supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2013CB328803);the National Natural Science Foundation of China(No.61136004)
The effect of active layer deposition temperature on the electrical performance of amorphous InGaZnO （a-IGZO） thin film transistors （TFTs） is investigated. With increasing annealing temperature, TFT performance is...
关键词：thin film transistors amorphous oxide semiconductors magnetron sputtering deposition temperature 
基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究被引量：4
《发光学报》2013年第9期1240-1244,共5页贾田颖 詹润泽 董承远 
国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得...
关键词：非晶铟镓锌氧化物 AMOLED 薄膜晶体管 像素电路 
The influence of RF power on the electrical properties of sputtered amorphous InGa-Zn-O thin films and devices被引量：5
《Journal of Semiconductors》2013年第8期56-60,共5页施俊斐 董承远 戴文君 吴杰 陈宇霆 詹润泽 
supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2013CB328803);the National Natural Science Foundation of China(No.61136004)
The influence of radio frequency（RF） power on the properties of magnetron sputtered amorphous indium gallium zinc oxide（a-IGZO） thin films and the related thin-film transistor（TFT） devices is investigated compre...
关键词：thin-film transistors amorphous oxide semiconductors magnetron sputtering radio frequency power 
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管被引量：7
《液晶与显示》2013年第1期55-58,共4页詹润泽 谢汉萍 董承远 
国家自然科学基金(No.61136004);上海市自然科学基金项目(No.09ZR1414800)
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比...
关键词：薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓锌氧化物 
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