国家高技术研究发展计划(2003AA312040)

作品数：9被引量：4H指数：1
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40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器被引量：1
《高技术通讯》2007年第6期591-594,共4页李智群 薛兆丰 王志功 冯军 章丽 李伟 
863计划（2003AA312040）资助项目.
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电...
关键词：并行光接收 前端放大器 RGC结构 衬底噪声耦合 放大器隔离 
37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期533-535,共3页唐君 陈弘达 裴为华 贾九春 周毅 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312080,2003AA312040)和国家自然科学基金(批准号:60377011)资助项目
制作并测试了12信道总传输速率为37.5Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对...
关键词：并行光传输 12信道光纤阵列 垂直腔面发射激光器 模块 
30Gbit/s Parallel Optical Receiver Module
《Journal of Semiconductors》2006年第4期696-699,共4页陈弘达 贾九春 裴为华 唐君 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302240,2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:30300378,60536030,60502005)资助项目~~
A 30Gbit/s receptor module is developed with a CMOS integrated receiver chip（IC） and a GaAs-based 1 × 12 photo detector array of PIN-type. Parallel technology is adopted in this module to realize a high-speed recei...
关键词：receiver module PARALLEL PD array 
Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0.25μm MS/RF CMOS
《Journal of Semiconductors》2006年第2期323-327,共5页陈弘达 高鹏 毛陆虹 黄家乐 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312240,2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:60536030)资助项目~~
A monolithically integrated optoelectronic receiver is presented. A silicon-based photo-diode and receiver circuits are integrated on identical substrates in order to eliminate the parasitics induced by hybrid packagi...
关键词：monolithically integrated OEIC CMOS process 
A 12-Channel,30Gb/s,0.18μm CMOS Front-End Amplifier for Parallel Optic-Fiber Receivers
《Journal of Semiconductors》2006年第1期47-53,共7页李智群 薛兆丰 王志功 冯军 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA312040)~~
This paper presents a 12-channel,30Gb/s front-end amplifier realized in standard 0.18μm CMOS technology for parallel optlc-fiber receivers. In order to overcome the problem of inadequate bandwidth caused by the large...
关键词：parallel optic-fiber receiver front-end amplifier regulated-cascode substrate noise coupling ISOLATION 
Simulation of a Monolithic Integrated CMOS Preamplifier for Neural Recordings被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2275-2280,共6页隋晓红 刘金彬 顾明 裴为华 陈弘达 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302240,2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:60536030)资助项目~~
A monolithic integrated CMOS preamplifier is presented for neural recording applications. Two AC-coupied capacitors are used to eliminate the large and random DC offsets existing in the electrode-electrolyte interface...
关键词：PREAMPLIFIER DC offset input-referred noise 
Bandwidth Design for CMOS Monolithic Photoreceiver
《Journal of Semiconductors》2005年第4期677-682,共6页粘华 毛陆虹 李炜 陈弘达 贾久春 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312240,2003AA312040)~~
A monolithic photoreceiver which consists of a double photodiode (DPD) detector and a regulated cascade (RGC) transimpedance amplifier (TIA) is designed.The small signal circuit model of DPD is given and the bandwidth...
关键词：double photodiode optoelectronics integrated circuit PHOTORECEIVER 
30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期208-211,共4页裴为华 唐君 申荣铉 陈弘达 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312080,2002AA312240,2003AA312040)
介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,介绍了...
关键词：垂直腔面发射激光器 并行光发射模块 列阵光纤 耦合 
GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期243-246,共4页唐君 陈弘达 梁琨 杜云 杨晓红 吴荣汉 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312080,2003AA312040),国家自然科学基金(批准号:60377011)资助项目
通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的...
关键词：RCE光电探测器 量子效率 GAAS 
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