四川省科技支撑计划(2011GZ0118)

作品数：3被引量：4H指数：1
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相关作者：彭斌张万里贾雅婷徐慧中艾明哲更多>>
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相关期刊：《功能材料》《磁性材料及器件》《电子器件》更多>>
相关主题：开关芯片缓冲层SI溅射惠斯通电桥更多>>
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基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计被引量：1
《磁性材料及器件》2014年第4期34-36,57,共4页武世祥 余涛 王鹏 徐慧忠 张万里 
四川省科技支撑计划基金资助项目(2011GZ0118)
采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚...
关键词：各向异性磁阻 溅射 NiFe薄膜 惠斯通电桥 开关芯片 
基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化被引量：3
《功能材料》2013年第4期577-580,共4页艾明哲 贾雅婷 陈忠志 徐慧中 彭斌 
四川省科技支撑计划资助项目(2011GZ0118)
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在...
关键词：各向异性磁阻 NiFe薄膜 缓冲层 磁阻开关 
Ka波段宽带薄膜匹配负载设计与制备研究
《电子器件》2012年第4期375-378,共4页王磊 彭斌 蒋洪川 王渊朝 李凌 张万里 
教育部支撑技术项目(625010305);四川省科技支撑计划项目(2011GZ0118);中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2010X007)
基于实频法思想设计了Ka波段薄膜匹配负载的宽带匹配网络,并利用ADS和HFSS软件进行了仿真和优化。仿真结果表明,在32 GHz～40 GHz频率范围内,所设计匹配负载的电压驻波比均小于1.2。利用丝网印刷以及直流磁控溅射工艺制备了所设计的薄...
关键词：微波无源器件 薄膜匹配负载 宽带匹配 KA波段 TaN薄膜 
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