国防科技技术预先研究基金(51408010601DZ1032)

作品数：5被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关作者：王平杨银堂杨燕屈汉章付俊兴更多>>
相关机构：西安电子科技大学西安邮电学院河北半导体研究所中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《光子学报》《电子学报》《西北大学学报（自然科学版）》《计算物理》更多>>
相关主题：漂移速度电子输运特性6H-SIC各向异性SIC更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiC电子霍耳迁移率的计算被引量：2
《计算物理》2006年第1期80-86,共7页王平 杨银堂 杨燕 
教育部重点(02074);国防科技预研基金(51408010601DZ1032)资助项目
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值...
关键词：6H碳化硅 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 解析模型 
掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
《电子学报》2005年第8期1512-1515,共4页王平 杨燕 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 
教育部重点资助项目(No.02074);国防科技预研基金(No.51408010601DZ1032)
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随...
关键词：4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度 
SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟被引量：1
《计算物理》2005年第3期245-250,共6页王平 杨银堂 屈汉章 杨燕 李跃进 贾护军 
教育部重点资助(02074);国防科技预研基金(51408010601DZ1032)资助项目
　利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H 和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型...
关键词：电子输运特性 数值模拟 4H-SiC Carlo法 杂质散射 6H-Sic 声子散射 电子迁移率 声学声子 输运过程 实验数据 模拟结果 变化规律 漂移速度 电场强度 形变势 中性 瞬态 接近 系综 光学 电离 
2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
《西北大学学报（自然科学版）》2004年第5期541-544,548,共5页王平 杨银堂 崔占东 杨燕 付俊兴 
教育部重点资助项目(02074);国防科技预研基金资助(51408010601DZ1032)
目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都...
关键词：2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 迁移率 漂移速度 平均能量 
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究被引量：3
《光子学报》2004年第3期322-325,共4页王平 周津慧 杨银堂 屈汉章 杨燕 付俊兴 
教育部重点资助项目 (0 2 0 74);国防科技预研基金资助(批准号 :514 0 80 10 60 1DZ10 3 2 )项目
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的...
关键词：6H-SIC 多粒子蒙特卡罗研究 各向异性 漂移速度 平均能量 电子碰撞电离率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部