国家重点基础研究发展计划(2006CB604905)

作品数：3被引量：2H指数：1
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相关机构：中国科学院南京大学更多>>
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相关主题：氧化碳ALGAN/GAN异质结高分子复合材料复合材料肖特基更多>>
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T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2010年第1期227-229,共3页马泽宇 王晓亮 王翠梅 肖红领 杨翠柏 
中国科学院知识创新工程项目(YYYJ-0701-02);国家自然科学基金资助项目(60890193;60606002;60906006);国家重点基础研究发展计划项目(2006CB604905);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(ISCAS2008T01;ISCAS2009L02)
从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计...
关键词：T-ZNOW 逾渗 复合材料 
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期193-196,共4页冯春 王晓亮 杨翠柏 肖红领 王翠梅 侯奇峰 马泽宇 王军喜 李晋闽 王占国 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002;613270805);国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变...
关键词：ALGAN-GAN 肖特基 气体传感器 氧化碳 
MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
《半导体技术》2008年第S1期129-132,共4页崔旭高 张荣 陶志阔 李鑫 修向前 谢自力 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60731160628)
用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明...
关键词：锰掺杂氮化稼 金属有机化学气相淀积 磁性 
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