国家部委资助项目(9140A08060407DZ0103)

作品数：4被引量：9H指数：2
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第一性原理研究应变Si/(001)Si1-XGeX能带结构被引量：3
《固体电子学研究与进展》2009年第3期315-319,359,共6页牛玉峰 庄奕琪 胡辉勇 宋建军 
国家部委资助项目(Nos.51308040203,9140A08060407DZ0103)
应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si1-XGeX(X=0.1～0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:应变消除...
关键词：应变硅 能带结构 第一性原理 
应变Si／(001)Si1-xGex能带结构模型被引量：5
《固体电子学研究与进展》2009年第1期14-17,共4页宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 
国家部委资助项目(Nos.51308040203,9140A08060407DZ0103)
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随G...
关键词：应变硅 K.P法 能带结构 
Band Edge Model of (101)-Biaxial Strained Si被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1670-1673,共4页宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 
the National Ministries and Commissions of China(Nos.51308040203,9140A08060407DZ0103)~~
A band edge model in （101）-biaxial strained Si on relaxed Si1-x Gex alloy,or monoclinic Si （m-Si）,is presented using the k · p perturbation method coupled with deformation potential theory. Results show that the ...
关键词：strained Si band edge k · p method 
The KP Dispersion Relation Near the Δ~i Valley in Strained Si_(1-x)Ge_x/Si被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期442-446,共5页宋建军 张鹤鸣 舒斌 胡辉勇 戴显英 
国家部委资助项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)~~
Based on an analysis of symmetry, the dispersion relations near the Ai valley in strained Si1-x Gex （0≤x〈0.45）/ （001）, （111）, （101）Si are derived using the KP method with perturbation theory. These relations...
关键词：KP method conduction band strained SiGe 
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