北京市自然科学基金(2123065)

作品数：4被引量：3H指数：2
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相关期刊：《真空科学与技术学报》《中国材料科技与设备》《微电子学》《半导体技术》更多>>
相关主题：掺杂II-VI族化合物半导体ZNSEN型掺杂半导体更多>>
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常用太阳电池结构模拟软件应用分析
《中国材料科技与设备》2013年第2期37-41,共5页张理嫩 崔利杰 刘超 
北京市自然科学基金资助项目（2123065）
对PCID、SCAPS-1D、AMPS、FORS--HET四种太阳电池一维结构模拟软件进行了应用分析，重点介绍它们的应用范围、软件结构、主要功能及其技术特色。四种软件的基本功能相似，均可在PC机上对常见半导体太阳电池的结构进行模拟计算，但侧重...
关键词：太阳电池 模拟软件 PCID SCAPS-1D AMPS FORS--HET 
Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
《真空科学与技术学报》2013年第3期271-276,共6页杨秋旻 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物 叠层太阳能电池 单极性半导体 掺杂 
快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1
《半导体技术》2013年第2期110-113,125,共5页杨秋旻 刘超 张家奇 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退...
关键词：碲化锌 快速退火 晶体质量 表面形貌 铟电极 
ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...
关键词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 
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